垂直电场下层松弛扭曲双层六氮化硼中的莫尔平带与反电偶域
介观与纳米尺度物理
2024-10-15 v1
摘要
通过紧束缚计算对扭曲双层六氮化硼（t2BN）的局部层间电荷极化进行计算和参数化，作为函数形式，即扭角和垂直电场。层松弛倾向于增加近似平带的带宽，对于小于1.08度的角度（对应BN/BN对齐），以及对于小于1.5度的角度（对应反BN/NB对齐），预计宽度小于1 meV。局部层间电荷极化最大值为2.6 pC/m，预计出现在BN/BN对齐的t2BN的AB和BA堆叠位点，在莫尔周期极限下（对应小于1度的角度），并随角度非单调地演化，最大值为3.5 pC/m（对应角度为1.6度），随后降至6度处的2 pC/m。由于t2BN产生的静电势最大值相对于刚性系统整体增强了20%，假设近其表面的势调制深度可达300 mV。在BN/BN对齐的双层中，垂直电场的符号会影响AB或BA局部堆叠区域的相对面积。
引用
@article{arxiv.2406.12231,
title = {Moir\'e flat bands and antiferroelectric domains in lattice relaxed twisted bilayer hexagonal boron nitride under perpendicular electric fields},
author = {Fengping Li and Dongkyu Lee and Nicolas Leconte and Srivani Javvaji and Jeil Jung},
journal= {arXiv preprint arXiv:2406.12231},
year = {2024}
}