双重对齐氮化硼双层石墨烯异质结构中增强的电子-声子耦合

具有相似晶格常数的二维（2D）材料异质结构中的相对扭转角会导致电子性质的剧烈改变。在此，我们研究了封装于两片六方氮化硼（hBN）晶体之间的双层石墨烯（BLG）的电学和磁输运性质，其中顶部和底部 hBN 分别与双层石墨烯旋转对齐，扭转角分别为 $\theta_t\sim 0^{\circ} \text{和}~ \theta_b < 1^{\circ}$。这导致形成两个 moiré 超晶格，在空穴和电子掺杂区域均出现载流子密度 $n_{s1}$ 和 $n_{s2}$ 处的卫星电阻峰，以及零载流子密度处的电阻峰。此外，我们测量了电阻率（$\rho$）的温度（T）依赖性。在密度区间 $n_{s1} <n<n_{s2}$ 内，电阻率随温度在 10K 至 50K 范围内线性增加，斜率 d$\rho$/dT $\sim$ 8.5~$\Omega$/K 较大。d$\rho$/dT 的大斜率归因于重构微带中 Fermi 速度受抑制所引起的增强电子-声子耦合，该效应近期在顶部和底部 hBN 双重对齐的石墨烯中已被理论预测。我们的结果确立了双重对齐 moiré 系统在调控电子-声子耦合强度及修改多层异质结构电子性质方面的独特性。