公度转角双层石墨烯/六方氮化硼莫尔晶格中的带隙形成
介观与纳米尺度物理
2024-04-16 v1 材料科学
摘要
我们报道了对转角双层石墨烯（tBLG）范德华异质结构中周期性超结构的研究，其中一层石墨烯与六方氮化硼（hBN）对齐。我们的理论模拟揭示，如果所得两个莫尔单胞面积之比为简单分数，石墨烯/hBN莫尔晶格将充当交错势，打破tBLG AA堆叠位点之间的简并。这会在部分tBLG AA位点被完全占据的能量处产生额外的带隙。这些带隙在磁输运中表现为朗道扇，我们在一个对齐的tBLG/hBN异质结构中通过实验观察到了这一现象。我们的研究展示了通过磁输运识别公度tBLG/hBN范德华异质结构的方法，突显了莫尔效应在数十纳米尺度上的持久性，并代表了在持续努力实现具有定制特性的设计量子材料方面迈出的有趣一步。
引用
@article{arxiv.2403.14393,
title = {Band gap formation in commensurate twisted bilayer graphene/hBN moir\'e lattices},
author = {Alexander Rothstein and Christoph Schattauer and Robin J. Dolleman and Stefan Trellenkamp and Florian Lentz and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Dante M. Kennes and Bernd Beschoten and Christoph Stampfer and Florian Libisch},
journal= {arXiv preprint arXiv:2403.14393},
year = {2024}
}
备注
18 pages, 13 figures