六方氮化硼上对齐的扭转双层石墨烯中的莫尔成像
介观与纳米尺度物理
2021-02-18 v1
摘要
在转角对齐的范德瓦耳斯材料双层中形成的莫尔超晶格（MSL）已成为实现新型二维电子态的一个有前景的平台。转角对齐的三层结构可形成两组可能相互干涉的莫尔超晶格。在本工作中，我们利用扫描微波阻抗显微镜与导电原子力显微镜相结合的方法，直接对单层石墨烯在hBN上对齐以及扭转双层石墨烯在hBN上对齐的莫尔图案进行成像。两种技术的关联揭示了所实现的超高空间分辨率（<2 nm）的衬度机制。我们在三层堆叠中观察到两组具有不同周期性的莫尔超晶格。较小的莫尔超晶格破坏了六重旋转对称性，并在较大莫尔超晶格的边界处表现出突变的不连续性。利用刚性原子堆叠模型，我们证明了hBN层显著改变了扭转双层石墨烯的莫尔超晶格。我们进一步分析了其对双莫尔系统倒易空间谱的影响。
引用
@article{arxiv.2102.08594,
title = {Moir\'e Imaging in Twisted Bilayer Graphene Aligned on Hexagonal Boron Nitride},
author = {Xiong Huang and Lingxiu Chen and Shujie Tang and Chengxin Jiang and Chen Chen and Huishan Wang and Zhi-Xun Shen and Haomin Wang and Yong-Tao Cui},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.08594},
year = {2021}
}