与六方氮化硼对齐的扭曲双层石墨烯中的非厄米能带拓扑

利用成熟的扭曲双层石墨烯（tBLG）Bistritzer-MacDonald 模型，我们在两层均存在非互易（NR）跃迁且仅在 tBLG 系统顶层引入由六方氮化硼（hBN）诱导的质量项的情况下，从理论上研究了其非厄米（NH）拓扑性质。众所周知，hBN 质量项破坏了 tBLG 的 $C_{2}$ 对称性，并使狄拉克锥打开能隙，诱导出谷霍尔绝缘相。然而，当引入 NR 跃迁时，该系统转变为 NH 谷霍尔绝缘体（NH-VHI）。我们的分析表明，在手性极限下，对于大范围的扭转角，系统的带宽在 NH 效应下消失。随着我们增强非厄米性程度（$\beta$），该范围可以显著扩大。在魔角处，我们观察到 $\beta$ 的增强会扩大无质量狄拉克点的鲁棒性，需要逐渐增大的质量项才能在 NH tBLG 系统中诱导出能隙。此外，对于固定的 NH 参数，我们确定了一个扭转角范围，在该范围内能隙的形成受到显著阻碍。为了探索 NH tBLG 的拓扑性质，我们分析了莫尔布里渊区（mBZ）中的直接带隙，并计算了 NH 系统的 Chern 数。我们发现，相应的拓扑相变与 mBZ 中相应直接带隙的闭合相关联。