双层石墨烯/六方氮化硼超晶格中的拓扑谷电流

Kosuke Endo; Katsuyoshi Komatsu; Takuya Iwasaki; Eiichiro Watanabe; Daiju Tsuya; Kenji Watanabe; Takashi Taniguchi; Yutaka Noguchi; Yutaka Wakayama; Yoshifumi Morita; Satoshi Moriyama

doi:10.1063/1.5094456

双层石墨烯/六方氮化硼超晶格中的拓扑谷电流

介观与纳米尺度物理 2019-06-25 v2

作者: Kosuke Endo , Katsuyoshi Komatsu , Takuya Iwasaki , Eiichiro Watanabe , Daiju Tsuya , Kenji Watanabe , Takashi Taniguchi , Yutaka Noguchi , Yutaka Wakayama , Yoshifumi Morita , Satoshi Moriyama

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摘要

石墨烯超晶格作为一类新兴的量子超材料近来引起越来越多的关注。在本文中，我们报道了封装于两层六方氮化硼 (hBN) 之间形成 hBN/BLG/hBN 摩尔超晶格的双层石墨烯 (BLG) 超晶格中的非局域输运现象。随后我们利用这些超晶格，通过全电学方法探测长程电荷中性谷电流。具有反演对称破缺的摩尔超晶格导致在电荷中性点 (CNP) 处积累 Berry 曲率的热点和 CNP 的卫星点。我们观测到量级为 1 $\text{k}\Omega$ 的非局域电阻，其满足一个标度关系。该非局域电阻由量子霍尔效应演化而来，但无需磁场/时间反演对称破缺，这与热点诱导的拓扑谷电流相关。本研究应为发展一种 Berry 相位灵敏探针以探测具有反演对称破缺的带隙 Dirac 材料中的热点铺平道路。

关键词

双层石墨烯 hBN 超晶格拓扑谷电流非局域输运 Berry 曲率摩尔超晶格反演对称破缺

引用

@article{arxiv.1903.00625,
  title  = {Topological Valley Currents in Bilayer Graphene/Hexagonal Boron Nitride Superlattices},
  author = {Kosuke Endo and Katsuyoshi Komatsu and Takuya Iwasaki and Eiichiro Watanabe and Daiju Tsuya and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Yutaka Noguchi and Yutaka Wakayama and Yoshifumi Morita and Satoshi Moriyama},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1903.00625},
  year   = {2019}
}

备注

9 pages, 3 figures

双层石墨烯/六方氮化硼超晶格中的拓扑谷电流

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关键词

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