N 层 ABC 堆叠石墨烯-氮化硼摩尔超晶格中的拓扑相

位于六方氮化硼上的菱方 $N = 3$ 三层石墨烯（TLG/BN）具有栅极可调、谷对比、近平坦的拓扑能带，在适当的谷和自旋极化条件下可触发自发量子霍尔相。最近的实验显示了在 1/4 空穴填充处 C = 2 谷陈数的特征，与预测值 C = 3 相反。我们讨论了与六方氮化硼（hBN）对齐的菱方 N 层石墨烯（N = 1, 2, 3）的低能模型，其受到可改变谷陈数的非对角摩尔矢量势项的作用。我们的分析表明，平坦能带的拓扑相变可由与摩尔应变图案相关的赝磁场矢量势触发，并且具有破缺旋转对称性的向列序可导致与近期霍尔电导观测相符的谷陈数。