大谷霍尔角下的非局域拓扑谷输运

在破缺空间反演对称性的二维材料中，Berry 曲率热点导致了横向谷电流的产生，进而引发巨大的非局域直流电压。近期在高质量带隙石墨烯中的实验凸显了，当系统被驱动至深入绝缘相时，非局域电阻作为纵向电荷电阻率 $\rho_{{\rm c}, xx}$ 的函数出现饱和现象。迄今为止，该饱和现象的起源尚不明确。在本工作中，我们证明该行为与大谷霍尔角（VHAs）机制下的体拓扑输运完全相容。我们证明，对于固定的谷扩散长度值，非局域电阻对 $\rho_{{\rm c}, xx}$ 的依赖性随 VHA 的增大而减弱，从标准的 $\rho^3_{{\rm c}, xx}$ 幂律过渡至与 $\rho_{{\rm c}, xx}$ 无关的结果。