应变石墨烯中的谷霍尔效应与非局域输运
介观与纳米尺度物理
2017-03-01 v2
摘要
经受高水平剪切应变的石墨烯会导致强赝磁场，从而产生朗道能级。在此我们表明，在中等水平应变下，石墨烯也能维持一种经典的谷霍尔效应(VHE)，可在非局域输运测量中检测到。我们提供了从量子玻尔兹曼方程出发的应变诱导VHE理论。这使我们能够证明，对短程杂质构型取平均破坏了谷间的量子相干，使得弹性散射时间和谷间散射率成为表征输运理论的唯一参数。利用该理论，我们计算了扩散区中霍尔棒器件的非局域电阻。我们的理论也与其他二维材料和 van der Walls 异质结构中的中等应变效应在(非局域)输运性质研究相关。
引用
@article{arxiv.1611.02382,
title = {Valley Hall Effect and Nonlocal Transport in Strained Graphene},
author = {Xian-Peng Zhang and Chunli Huang and Miguel A. Cazalilla},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.02382},
year = {2017}
}
备注
6 pages, 4 figures