由于介子相互作用导致谷浦哈克导电率的重整化
介观与纳米尺度物理
2024-07-12 v1
摘要
我们发展了一种关于库仑相互作用介导的谷浦哈克效应（VHE）贡献的理论，用于二维非中心对称间隙 Dirac 材料。我们假设，裸谷浦哈克电流由于由杂质引起的无程序引起，由谷选异向性偏斜散射决定。应用玻尔兹曼输运方程来描述材料中的电子和空穴输运，我们计算了由于电子-电子和电子-空穴散射过程导致的重整化 VHE 导电率，考虑两种体制：(i) 一个 掺杂的单层材料，托管退化电子气，和 (ii) 一个本征半导体，其电子和空穴气体遵循玻尔兹曼统计。在两种体制下，介子散射的主要机制都来自位于不同谷中的粒子。此外，在情形 (ii) 中，除了直接散射之外，随着温度的升高，电子-空穴湮灭也开始发挥作用，甚至可能成为由库仑相互作用介导的 VHE 的主要机制。
引用
@article{arxiv.2407.08118,
title = {Renormalization of the valley Hall conductivity due to interparticle interaction},
author = {D. S. Eliseev and A. V. Parafilo and V. M. Kovalev and O. V. Kibis and I. G. Savenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.08118},
year = {2024}
}
备注
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