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由相干几何相位引发的隧穿山 valley 霍尔效应

介观与纳米尺度物理 2024-11-07 v1

摘要

我们提出了一种基于 αT3\alpha-\mathcal{T}_3 晶格中两种组合电势阱通过的相干传输的几何相位解析隧穿山 valley 霍尔效应。结果表明,阱界面上的反射电子可能获得山 valley 相关的几何相位。这种几何相位的相干性导致山 valley 相关的偏斜隧穿,这是导致净电荷为零的横向山 valley 电流的原因。我们进一步表明,这一电荷中性的横向山 valley 霍尔电流可以通过施加于两种组合阱区域的栅极电压进行电气控制,当两种阱的高度相等时则不存在。我们的工作开辟了一种新的产生山 valley 霍尔效应的方法,表明其潜在的山 valley 器件应用前景。

关键词

引用

@article{arxiv.2406.18903,
  title  = {Tunneling valley Hall effect induced by coherent geometric phase},
  author = {W. Zeng},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2406.18903},
  year   = {2024}
}

备注

7 pages, 5 figures