二维电子体中边缘通道之间通过受控势垒的横向隧穿
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们研究了在栅极电压控制下形成的势垒上的横向隧穿，该势垒是由原子力显微镜沿细条纹部分去除异质结构供体层所产生的，位于受电诱导边界处的栅控二维电子体的边缘通道之间。对于足够高的势垒，发现典型的电压-电流特性呈强烈不对称，包含除正向隧穿分支外的负向分支，该分支对应于电流溢出势垒。我们建立了势垒高度随栅极电压和磁场线性变化的经验关系，并依据二维电子体中最外层边缘通道之间的电子隧穿来描述实验数据。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9905153,
title = {Lateral tunneling through the controlled barrier between edge channels in a two-dimentional electron system},
author = {A. A. Shashkin and V. T. Dolgopolov and E. V. Deviatov and B. Irmer and A. G. C. Haubrich and J. P. Kotthaus and M. Bichler and W. Wegscheider},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9905153},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 4 figures. Accepted to JETP Lett