电流流过刻蚀势垒：二维电子气的场发射
介观与纳米尺度物理
2009-10-30 v1
摘要
我们发现，在适当条件下，电子可以通过从GaAs/AlGaAs异质结场发射到衬底深处形成的第二个低密度二维电子气（2DEG）来穿过横跨二维电子气刻蚀的势垒。电流-电压特性在场发射阈值处表现出电流的快速增加，并在该阈值以上表现出固有的双稳态，这与第二个二维电子气中发生的加热不稳定性一致。这些结果可能解释了几个研究组最近在前栅器件中观察到的类似行为。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9712275,
title = {Current flow past an etched barrier: field emission from a two-dimensional electron gas},
author = {D. H. Cobden and G. Pilling and R. Parthasarathy and P. L. McEuen and I. M. Castleton and E. H. Linfield and D. A. Ritchie and G. A. C. Jones},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9712275},
year = {2009}
}
备注
9 pages, includes 4 eps figures, uses europhys.sty, to appear in Europhysics Letters