强磁场中二维电子气间的隧穿

我们测量了高磁场 $B$ 下，当两个电子层的载流子密度匹配时，两个二维电子气之间的隧穿。对于填充因子 $\nu<1$，在 $V=0$ 附近的电流-电压特性中存在一个间隙，随后在 $\sim 6$~mV 处出现隧穿峰。这两个特征此前均已被观察到，并归因于层内的电子-电子相互作用。我们测量了高场隧穿峰位置，并拟合了与 $B$ 成正比且与两层载流子密度无关的间隙参数。这表明该间隙的起源不同于现有理论所提出的，后者预测 $\sqrt{B}$ 依赖性。