强高频电场下 MOSFET 型结构中隧穿的不平衡重整化
介观与纳米尺度物理
2007-09-16 v1 量子物理
摘要
研究了耦合到相邻杂质位点的二维电子气在高频面外交流控制电场中的行为。计算了隧穿率随场振幅的变化。报道了二维电子气电导率对交流场强的非线性依赖关系，并呈现出周期性峰结构。
引用
@article{arxiv.0708.1623,
title = {Unbalanced Renormalization of Tunneling in MOSFET-type Structures in Strong High-Frequency Electric Fields},
author = {Dmitry Solenov},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.1623},
year = {2007}
}
备注
9 pages, 4 figures