MOSFET 中的共振隧穿的重整
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1 材料科学
摘要
我们研究了在强电子-电子相互作用和电子-声子相互作用存在下的局域缺陷态与导带之间的隧穿。我们推导了隧穿速率作为缺陷能级相对于导带电子费米能的 position 的函数。我们认为，结果可以解释对硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管中随机 Telegraph 信号所观察到的较大隧穿时间尺度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0312503,
title = {Renormalization of resonant tunneling in MOSFETs},
author = {D. Mozyrsky and I. Martin and A. Shnirman and M. B. Hastings},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0312503},
year = {2007}
}
备注
4 pages, in REVTEX, 3 figures