具有正常能谱的 HgTe 量子阱中空穴的弱反局域化

本文展示了具有正常能谱的空穴型导电窄 HgTe 量子阱中干涉诱导磁电导率的实验研究结果。数据的解释考虑了二维空穴子带能谱的强自旋 - 轨道分裂。研究表明，当费米能级位于价带能谱的单调部分时，从相对较低电导率下的磁电导率曲线形状分析中得出的相位弛豫时间，其行为类似于在电子型导电窄 HgTe 量子阱中观察到的情况。随着电导率的增加和温度的降低，它按照 $1/T$ 定律在量值上增加。这种行为对应于电子 - 电子相互作用作为相位弛豫主要机制的非弹性，并与理论预测非常吻合。对于较高的电导率，尽管退相干时间仍然与温度成反比，但它随着电导率的增加而急剧减小。推测空穴能谱的非单调特性可能是这种特异性的原因。当费米能级到达价带深处的次级极大值时，主极大值和次级极大值中的载流子之间会出现额外的非弹性相互作用通道。