InAs/GaSb异质结构量子点接触中的电导振荡
介观与纳米尺度物理
2016-05-17 v2
摘要
我们通过针对 InAs/GaSb 异质结构和 HgTe/(Hg,Cd)Te 量子阱的量子输运模拟，研究了二维拓扑绝缘体中的量子点接触。在 InAs/GaSb 中，边缘态密度随距边缘的距离呈振荡衰减。这与 HgTe 量子阱中边缘态以简单指数方式衰减进入块体的行为形成对比。这两种材料之间的差异是由 InAs/GaSb 中电子与空穴的空间分离引起的，这影响了描述粒子-空穴不对称性以及 Bernevig-Hughes-Zhang 模型内子带间耦合强度的参数大小。我们表明，波函数衰减的特征直接影响点接触电导对收缩宽度和费米能量的依赖关系，这可通过实验验证，并可用于精确确定相关参数的值。对于 InAs/GaSb 异质结构，电导大小随收缩宽度振荡，遵循边缘态穿透的振荡；而在 HgTe/(Hg,Cd)Te 量子阱中，预测会出现从透射接触到反射接触的一次性切换。
引用
@article{arxiv.1602.06828,
title = {Conductance oscillations in quantum point contacts of InAs/GaSb heterostructures},
author = {Michał Papaj and Łukasz Cywiński and Jerzy Wróbel and Tomasz Dietl},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.06828},
year = {2016}
}
备注
8 pages, 6 figures, accepted version, references and additional paragraph added