反转型InAs/GaSb量子阱中螺旋边缘模式的证据
介观与纳米尺度物理
2015-05-28 v1
摘要
我们展示了一项关于反转型InAs/GaSb复合量子阱杂化能隙中低温电子输运的实验研究。利用静电栅极将费米能级推入能隙区域，并测量了电导随样品长度和宽度的变化。我们的分析为Liu等人提出的螺旋边缘模式的存在提供了有力证据 [Phys. Rev. Lett., 100, 236601 (2008)]。尽管存在可观的体导电，边缘模式依然持续存在，并且仅表现出微弱的磁场依赖性——这是能隙在远离布里渊区中心处打开的直接结果。
引用
@article{arxiv.1105.0137,
title = {Evidence for Helical Edge Modes in Inverted InAs/GaSb Quantum Wells},
author = {Ivan Knez and Rui-Rui Du and Gerard Sullivan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.0137},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures