InAs/GaSb 量子阱中的边缘电流成像
介观与纳米尺度物理
2014-07-14 v2
摘要
边缘长度远大于几微米的量子自旋霍尔器件并不表现出弹道输运：即其测量电导远小于每条边缘的 e²/h。我们对具有长边缘的 InAs/GaSb 量子阱中的边缘电流进行了成像，并确定了有效边缘电阻。令人惊讶的是，尽管有效边缘电阻远大于 h/e²，但在实验分辨率范围内，它在高达 30 K 的温度下与温度无关。已知的候选散射机制无法解释我们观察到的这种大却与温度无关的有效边缘电阻。
引用
@article{arxiv.1401.1531,
title = {Images of edge current in InAs/GaSb quantum wells},
author = {Eric M. Spanton and Katja C. Nowack and Lingjie Du and Gerard Sullivan and Rui-Rui Du and Kathryn A. Moler},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.1531},
year = {2014}
}
备注
Version accepted to Physical Review Letters (http://prl.aps.org/). 12 pages, 3 figures. Supplementary Online Materials available at http://stanford.edu/group/moler/papers/Spanton_InAsGaSb_imaging_SI_v2.pdf