InAs和InAs/GaSb量子阱中的边缘输运
介观与纳米尺度物理
2017-08-09 v1
摘要
我们研究了通过单InAs量子阱和破隙InAs/GaSb双量子阱的低温输运。在超越体夹断区的非局域测量证实了InAs量子阱中边缘导电的存在。1-2 的边缘电阻率与在InAs/GaSb双量子阱系统中测得的边缘电阻率处于同一数量级。在倾斜磁场中的测量表明，边缘导电区域存在各向异性，其在样品平面内的延伸范围大于垂直于平面的方向。两种材料系统上的指栅样品揭示了边缘电阻的长度依赖性，旨在阐明InAs/GaSb耦合量子阱中边缘导电的本质。
引用
@article{arxiv.1706.00320,
title = {Edge transport in InAs and InAs/GaSb quantum wells},
author = {Susanne Mueller and Christopher Mittag and Thomas Tschirky and Christophe Charpentier and Werner Wegscheider and Klaus Ensslin and Thomas Ihn},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.00320},
year = {2017}
}