InAs/GaSb耦合量子阱中经由边缘态的非局域输运
介观与纳米尺度物理
2016-11-08 v1
摘要
我们研究了InAs/GaSb双量子阱中的低温电子输运，该系统有望从普通绝缘体电调谐至拓扑绝缘体。长度从 m 至几 m 的霍尔条在电荷中性附近逐渐显现出显著的电阻平台，并伴随沿边缘的明显非局域输运。平台电阻被发现高于或低于螺旋边缘通道预期的量子化值。我们基于不完美边缘与残余局域体电导之间的相互作用讨论了这些结果。
引用
@article{arxiv.1504.07032,
title = {Non-local transport via edge-states in InAs/GaSb coupled quantum wells},
author = {Susanne Mueller and Atindra Nath Pal and Matija Karalic and Thomas Tschirky and Christophe Charpentier and Werner Wegscheider and Klaus Ensslin and Thomas Ihn},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.07032},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 3 figures