刻蚀工艺对介观InAs/GaSb量子阱器件中电子输运的影响
介观与纳米尺度物理
2015-07-06 v2
摘要
我们报道了由耦合 InAs/GaSb 量子阱夹在 AlSb 势垒之间制成的介观霍尔棒器件的电子表征，该结构是二维拓扑绝缘体的新兴候选者。刻蚀结构的电子宽度由低场磁阻峰确定，这是弹道极限下部分扩散边界散射的特征标志。对于干法刻蚀，发现电子宽度随电子密度减小。相反，对于湿法刻蚀器件，它随密度保持恒定。此外，发现湿法刻蚀器件的边界散射更具镜面性，这可能与研究拓扑边缘态相关。
引用
@article{arxiv.1502.06697,
title = {Influence of etching processes on electronic transport in mesoscopic InAs/GaSb quantum well devices},
author = {Atindra Nath Pal and Susanne Mueller and Thomas Ihn and Klaus Ensslin and Thomas Tschirky and Christophe Charpentier and Werner Wegscheider},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.06697},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 2 figures