InAs/AlSb 中一维量子通道的表征
材料科学
2009-11-07 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了限制在 AlSb 势垒之间的单 InAs 量子阱中的一维电子的磁阻特性。得益于一种利用 3nm 浅湿法化学刻蚀来定义静电侧向限制的新型纳米加工方案，发现该系统具备三个重要特性：镜面边界散射、强侧向限制势，以及导电通道宽度近似等于光刻宽度。在 4K 下，在具有尖角的交叉结中观察到了弹道输运现象，包括 Hall 电阻猝灭、最后一个 Hall 平台以及强负弯曲电阻。在环结构中，我们观测到了 Aharonov-Bohm 干涉，由于电子输运的弹道性质和导电通道宽度的狭窄，其展现出的特征不同于 GaAs 对应体系。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0208265,
title = {Characterization of one-dimensional quantum channels in InAs/AlSb},
author = {C. H. Yang and M. J. Yang and K. A. Cheng and J. C. Culbertson},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0208265},
year = {2009}
}
备注
pdf-file, 8 figures, to be published in Phys. Rev. B