二维电子-空穴体系中靠近平衡态的磁隧穿
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
我们在低温下(1.7K < T < 60K)以及在不同角度施加磁场的情况下，测量了 InAs/AlSb/GaSb b/AlSb/InAs异结构结构的零偏置微隧导率。磁导-哈密顿振荡揭示了在InAs界面上积聚的二维(2D)电子特征，并确定了每个界面中电子的数量。振荡的温度依赖性表明在费米能级处形成了由场引起的能隙，这类似于在更简单二维-二维隧穿系统中观察到的现象。考虑两种InAs电极中不同2D电荷密度的磁导电导计算与主要观察结果一致，但无法解释可能与GaSb区域中二维空穴存在相关的特征。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0009444,
title = {Magnetotunneling in a Two-Dimensional Electron-Hole System Near Equilibrium},
author = {E. M. González and Y. Lin and E. E. Mendez},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0009444},
year = {2009}
}
备注
4 papes, 3 eps figures. Submit to Phys. Rev. B