GaAs 低密度二维空穴系统中的 1/f 噪声
无序系统与神经网络
2007-05-23 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
二维电子或空穴系统在半导体中提供了研究强相互作用费米子物理的独特机会。我们测量了高迁移率 GaAs 量子井中二维空穴系统在零磁场下金属-绝缘体相变(density)以下的 1/f 电阻噪声。采用了电压和电流波动两种技术。归一化噪声功率 SR/R^2 在空穴密度或温度降低时显著增大。在最低密度下，温度依赖性更陡峭。这与强局域化跳跃传输 regime 下调制模型的预测相矛盾。因此，强化了在金属-绝缘体相变(density)以下存在二阶相变或 percolation 相变的假设。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0510142,
title = {1/f Noise In Low Density Two-Dimensional Hole Systems In GaAs},
author = {G. Deville and R. Leturcq and D. L'Hote and R. Tourbot and C. J. Mellor and M. Henini},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0510142},
year = {2007}
}
备注
PDF, 4 pages, 2 figures, in: Proceedings of the 18th International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF2005), September 19-23, 2005, Salamanca, Spain