GaAs中稀薄二维空穴系统的电阻噪声标度
强关联电子
2009-11-10 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们测量了高迁移率GaAs量子阱中二维（2D）空穴系统在零磁场下二维金属-绝缘体转变（MIT）附近的电阻噪声。归一化噪声功率在空穴密度p_s减小时显著增加，在最大密度时随温度（T）略有增加，而在低p_s时随T显著降低。噪声随电阻标度，，类似于渗流转变这样的二级相变。电导率对p_s的依赖性与这种转变的临界行为一致，其临界密度p*低于观察到的MIT临界密度p_c。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0301222,
title = {Resistance Noise Scaling in a Dilute Two-Dimensional Hole System in GaAs},
author = {R. Leturcq and D. L'Hote and R. Tourbot and C. J. Mellor and M. Henini},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0301222},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures, to be published in Phys. Rev. Lett