非平衡二维电子系统中的电导噪声

对低温 ($T$) 下 Si 中二维电子系统 (2DES) 电导噪声的研究表明，在固定载流子密度 $n_s$ 下从高温平衡态冷却后，会出现大幅度的非高斯噪声。这种行为标志着 2DES 在 $T\to0$ 时脱离平衡态，且在 $n_s<n_g$ ($n_g$ 为玻璃化转变密度) 时被观测到。在低温下将密度改变一个小值 $\Delta n_s$ 的方案产生了相同的噪声功率谱结果。然而，对涨落的非高斯概率密度函数 (PDFs) 的详细分析表明，$\Delta n_s$ 具有与 $\Delta T$ 定性不同且更显著的影响，这表明由于库仑相互作用，$\Delta n_s$ 引起了系统自由能景观的剧烈变化。第三种等待时间 ($t_w$) 方案的结果（其中 $n_s$ 在 $t_w$ 期间发生大幅暂时性变化）表明，非高斯 PDFs 表现出历史依赖性，并随着系统老化和缓慢接近平衡而演化为高斯分布。通过计算宽范围外加偏压下测得噪声的功率谱和高阶统计量，确定非高斯噪声出现在欧姆或线性响应机制中，即它并非由外加偏压引起。