粗粒材料电气击穿处非高斯阻值噪声
统计力学
2009-11-10 v1 适应与自组织系统
量子物理
摘要
通过数值模拟研究了导电薄膜（具有颗粒结构）在电气击穿附近电阻波动的分布。该薄膜被建模为在两种带偏置过程（破坏与恢复）之间竞争所决定的稳态中的电阻网络。考虑了不同尺寸和不同内部无程度的系统。在击穿附近发现分布显著偏离高斯分布，且该偏离随内部无程度的增加而增大。然而，我们指出，一般而言，这种非高斯性与系统的有限尺寸有关，在大尺寸极限下会消失。尽管如此，在导体-绝缘体相变临界点附近，当尺寸被增大时，偏离高斯性仍然持续，电阻波动分布可被贴合为通用Bramwell-Holdsworth-Pinton分布。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0401352,
title = {Non-Gaussian Resistance Noise near Electrical Breakdown in Granular Materials},
author = {C. Pennetta and E. Alfinito and L. Reggiani and S. Ruffo},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0401352},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 6 figures; accepted for publication on Physica A