电气击穿处电阻波动的非高斯性
凝聚态物理
2009-11-10 v1
摘要
我们研究了薄膜在电气击穿附近的电阻波动分布。该薄膜被建模为受偏置渗透的稳态电阻网络。根据外部电流值、系统尺寸以及内部无序程度，波动分布可表现出非高斯行为。我们将这种非高斯性分析为最近在高度相关临界系统中引入的广义 Gumbel 分布。我们发现当平均缺陷比例接近随机渗透阈值时，电阻波动分布可由Bramwell-Holdsworth-Pinton 分布的普适行为良好描述。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0310643,
title = {Non-Gaussianity of resistance fluctuations near electrical breakdown},
author = {C. Pennetta and E. Alfinito and L. Reggiani and S. Ruffo},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0310643},
year = {2009}
}
备注
3 figures, accepted for publication on Semicond Sci Tech