无序电子系统中由非线性机制引起的非高斯电导噪声
无序系统与神经网络
2009-11-11 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们展示了横向尺寸为2微米至1毫米的晶体氧化铟无序薄膜的电导噪声实验结果。噪声的功率谱具有通常的1/f形式，其幅度随样品体积的倒数增加而增大，直至样品尺寸减小到2微米，这一行为与不相关的涨落体一致。彩色第二谱仅偶尔遇到（在小于40微米的样品中），并且非高斯性对样品参数缺乏系统依赖性的现象一直持续到我们研究的最小样品（2微米）。此外，非高斯性的程度对测量中使用的偏压V表现出非平凡的依赖性；它最初随V增加而增大，然后当偏压更深地进入非线性输运区域时，它随V减小。我们描述了一个能够重现主要观测特征的模型，并认为这种行为源于跳跃系统中电子输运固有的非线性效应，并且无论系统是否为玻璃态，都应该能观察到这种行为。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0610860,
title = {Non-Gaussian conductance noise in disordered electronic systems due to a non-linear mechanism},
author = {V. Orlyanchik and V. I. Kozub and Z. Ovadyahu},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0610860},
year = {2009}
}
备注
9 figures