并五苯晶体管噪声中的渗流效应
材料科学
2008-09-26 v3 无序系统与神经网络
摘要
我们测量了并五苯薄膜晶体管中 1/f 噪声随器件厚度的变化，范围从远高于有效导电沟道厚度到仅两层导电层。在整个厚度范围内，频谱噪声形式均为 1/f，且噪声参数随 (栅极电压) 变化，证实即使在最薄的薄膜中，噪声也是由迁移率涨落引起的。对于所有薄膜厚度，Hooge 参数均随电导率呈反幂律变化。频谱噪声的幅值和输运特性可以通过晶界结构引起的渗流效应得到很好的解释。
关键词
引用
@article{arxiv.0710.2700,
title = {Percolative Effects on Noise in Pentacene Transistors},
author = {B. R. Conrad and W. G. Cullen and W. Yan and E. D. Williams},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.2700},
year = {2008}
}
评论
13 pages, 4 figures, Published