利用石墨烯多层结构直接探测 1/f 噪声起源：表面与体相
介观与纳米尺度物理
2015-06-12 v1 材料科学
摘要
具有谱密度 S(f)~1/f^g（f 为频率，g~1）的低频噪声是一种普遍现象，阻碍了许多器件和电路的运行。电子学领域一个长期存在且尤为重要的问题是：1/f 噪声是产生于导电体的表面还是其内部体相。利用高质量石墨烯多层结构，我们得以直接解决这一关于噪声起源的基本问题。与金属或半导体薄膜的厚度不同，石墨烯多层结构的厚度可以连续且均匀地变化，直至单层石墨烯——即实际的表面。我们发现，当厚度超过约 7 个原子层（约 2.5 nm）时，1/f 噪声由体相噪声主导；低于此厚度时，1/f 噪声则为表面现象。所得结果对于传统电子器件的持续微缩以及石墨烯在传感器和通信领域的潜在应用具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1211.5155,
title = {Direct Probing of 1/f Noise Origin with Graphene Multilayers: Surface vs. Volume},
author = {Guanxiong Liu and Sergey Rumyantsev and Michael S. Shur and Alexander A. Balandin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.5155},
year = {2015}
}