具有降低的低频 1/f 噪声的石墨烯厚度渐变晶体管
介观与纳米尺度物理
2015-06-03 v1 材料科学
摘要
我们展示了具有高电子迁移率和低 1/f 噪声（f 为频率）的石墨烯厚度渐变晶体管。该器件沟道由少层石墨烯实现，其厚度从中间的单层变化到源极和漏极接触处的少层。研究发现，此类器件的电子迁移率与参考单层石墨烯器件相当，同时产生更低的噪声水平。石墨烯的金属掺杂以及单层与少层石墨烯之间电子态密度的差异导致了观测到的噪声降低。这些结果为阐明石墨烯中的噪声起源提供了启示。
引用
@article{arxiv.1112.5751,
title = {Graphene Thickness-Graded Transistors with Reduced Low-Frequency 1/f Noise},
author = {Guanxiong Liu and Sergey Rumyantsev and Michael Shur and Alexander A. Balandin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.5751},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 4 figures