双层石墨烯晶体管中的闪烁噪声
材料科学
2009-11-13 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们展示了双层石墨烯晶体管中低频噪声的实验研究结果。所制备的背栅器件采用电子束光刻和蒸发工艺制造。所制备晶体管的电荷中性点在10 V左右。在10 - 100 Hz以上频率，噪声谱呈1/f型，在1 kHz频率下的谱密度在10E-23 - 10E-22 A2/Hz量级。在10 - 100 Hz以下频率偏离1/f谱表明，该噪声源于缺陷捕获载流子导致的载流子数涨落。此类器件的Hooge参数提取值为10E-4。噪声谱密度的栅极依赖性表明，噪声主要由器件通道的非栅控部分和接触部分的贡献主导。所得结果对石墨烯电子应用具有重要意义。
引用
@article{arxiv.0812.3884,
title = {Flicker Noise in Bilayer Graphene Transistors},
author = {Q. Shao and G. Liu and D. Teweldebrhan and A. A. Balandin and S. Roumyantesv and M. Shur and D. Yan},
journal= {arXiv preprint arXiv:0812.3884},
year = {2009}
}