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铝镓氧化物肖特基势垒二极管中的低频电子噪声

材料科学 2023-04-11 v1 其他凝聚态物理

摘要

我们报道了 (Alx_xGa1x_{1-x})2_2O3_3 肖特基势垒二极管中的低频电子噪声。噪声谱密度呈现出 1/f 依赖关系(f 为频率),这是闪烁噪声的特征,并在中等电流水平下叠加有洛伦兹凸起。在 1 A/cm2^2 电流密度下,此类二极管的归一化噪声谱密度在 1012^{-12} cm2^2/Hz(f=10 Hz)量级。在中等电流区间,我们观察到随机电报信号噪声,其与噪声谱中洛伦兹凸起的出现相关。该随机电报信号噪声归因于肖特基势垒附近的缺陷。这些缺陷可影响局部电场与势垒,并相应地影响电流。所得结果有助于理解超宽禁带半导体制成的肖特基势垒二极管中的噪声,并可用于材料与器件质量评估。

关键词

引用

@article{arxiv.2304.04744,
  title  = {Low-Frequency Electronic Noise in the Aluminum Gallium Oxide Schottky Barrier Diodes},
  author = {Subhajit Ghosh and Dinusha Herath Mudiyanselage and Sergey Rumyantsev and Yuji Zhao and Houqiang Fu and Stephen Goodnick and Robert Nemanich and Alexander A. Balandin},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2304.04744},
  year   = {2023}
}

备注

16 pages, 6 figures