低噪声顶栅石墨烯晶体管
材料科学
2015-05-14 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报告了对顶栅石墨烯晶体管中低频噪声的实验研究结果。通过在单层石墨烯沟道上添加由20 nm HfO2隔开的顶栅，对背栅石墨烯器件进行了改进。测量结果显示，闪烁噪声水平较低，归一化噪声谱密度接近1/f（f为频率），Hooge参数低于2×10^-3。对噪声谱密度随顶栅和底栅偏压依赖关系的分析，有助于我们阐明这些器件中的噪声源，并制定降低电子噪声的策略。所得结果对于所有已提出的石墨烯在电子学和传感器中的应用具有重要意义。
引用
@article{arxiv.0908.3304,
title = {Low-noise top-gate graphene transistors},
author = {G. Liu and W. Stillman and S. Rumyantsev and Q. Shao and M. Shur and A. A. Balandin},
journal= {arXiv preprint arXiv:0908.3304},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 4 figures