电学偏置双层石墨烯中的电阻噪声
介观与纳米尺度物理
2010-06-09 v1
摘要
我们证明了双层石墨烯中的低频电阻涨落（即噪声）与其能带结构密切相关，并在导带与价带之间的带隙为零时表现出极小值。利用双栅极双层石墨烯器件，我们独立地调节了零带隙点和电荷中性点，这提供了一种多用途的机制来研究双层石墨烯的低能能带结构、电荷局域化和屏蔽性质。
引用
@article{arxiv.0812.2974,
title = {Resistance noise in electrically biased bilayer graphene},
author = {Atindra Nath Pal and Arindam Ghosh},
journal= {arXiv preprint arXiv:0812.2974},
year = {2010}
}
备注
5 pages, 4 figures