拓扑绝缘体材料薄膜中的 1/f 噪声
材料科学
2011-02-07 v1
摘要
我们报告了对拓扑绝缘体（一种具有体绝缘带隙和导电表面态的新型材料）制成的器件沟道中低频过量噪声的研究结果。薄膜硒化铋样品通过“类石墨烯”机械剥离法从块状晶体中制备。制造的四端器件在低偏置条件下具有线性电流-电压特性。对于频率 f 低于 10 kHz 的情况，电流涨落的噪声谱密度与 1/f 成正比。噪声谱密度遵循对漏-源电流的二次依赖关系。获得的数据对于规划拓扑绝缘体的输运实验非常重要。我们建议，实现通过“受保护”表面态进行电流传导的纯拓扑绝缘体相，可以通过抑制某些散射机制来降低噪声。
引用
@article{arxiv.1010.0420,
title = {1/f Noise in Thin Films of Topological Insulator Materials},
author = {M. Zahid Hossain and Sergey L. Rumyantsev and Desalegne Teweldebrhan and Khan M. F. Shahil and Michael Shur and Alexander A. Balandin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.0420},
year = {2011}
}
备注
4 pages, 5 figures