二硫化钼晶体管中的低频 1/f 噪声

我们报道了 MoS2 场效应晶体管中低频（1/f，其中 f 为频率）噪声的测量结果，揭示了 MoS2 沟道和 Ti/Au 接触对整体噪声水平的相对贡献。针对新制备和老化的晶体管均进行了 1/f 噪声研究。结果表明，与石墨烯器件中观察到的情况相反，McWhorter 载流子数涨落模型能很好地描述 MoS2 晶体管中的 1/f 噪声。从 MoS2 晶体管的 1/f 噪声数据中提取的陷阱密度，对于新制备器件和老化器件分别为 $1.5 \times 10^{19} \text{ eV}^{-1}\text{cm}^{-3}$ 和 $2 \times 10^{20} \text{ eV}^{-1}\text{cm}^{-3}$。研究发现，老化 MoS2 晶体管噪声水平的增加是由于沟道而非接触的退化所致。所得结果对于 MoS2 及其他范德华材料的预期电子应用具有重要意义。