化学气相沉积 MoS2 中的低频噪声
介观与纳米尺度物理
2013-10-25 v1
摘要
固有的低频噪声是一种普遍现象，限制了电子器件和电路的运行与性能。这一限制因素对于纳米电子器件（如二维半导体器件）尤为重要。本研究调查了通过化学气相沉积 (CVD) 生长的高迁移率单晶 MoS2 中的低频噪声。测得的低频噪声遵循迁移率波动的经验公式，其 Hooge 参数范围在 1.44E-3 至 3.51E-2 之间。Hooge 参数的微小变化表明，与报道的单层 MoS2 FET 相比，CVD 生长的 MoS2 器件具有更优越的材料均匀性和工艺控制能力。提取的 Hooge 参数比 CVD 生长的石墨烯低一个数量级。Hooge 参数与场迁移率呈反比关系。
引用
@article{arxiv.1310.6484,
title = {Low frequency noise in chemical vapor deposited MoS2},
author = {Yuji Wang and Xinhang Luo and Ningjiao Zhang and Masihhur R. Laskar and Lu Ma and Yiying Wu and Siddharth Rajan and Wu Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.6484},
year = {2013}
}