开关场条件下的二维 MoS2：速度波动引起的高频噪声研究
应用物理
2024-02-13 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
本文通过系综蒙特卡洛模拟器，研究了二维 MoS2 在突变大信号开关场条件下的瞬态高频噪声响应。分析了在不同衬底上，低温（77 K）和室温下的低到高及高到低场跃迁。引入随机个体散射事件使得能够捕捉瞬态集体声子 - 电子耦合，研究表明，对于 SiO2、hBN 和 Al2O3 衬底上的 MoS2，这种耦合是导致低温下平均速度和能量出现振荡行为的原因。在低到高场开关过程中，表面极性声子发射的激活与去激活导致速度波动功率谱密度在太赫兹（THz）范围内出现显著峰值。结果表明，衬底类型对 MoS2 在极高频率下的噪声行为具有重要影响，这对于基于二维 TMD 技术的未来 FET 器件设计至关重要。
引用
@article{arxiv.2402.07838,
title = {2D MoS2 under switching field conditions: study of high-frequency noise from velocity fluctuations},
author = {Jose Manuel Iglesias and Elena Pascual and Sergio Garcia-Sanchez and Raul Rengel},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.07838},
year = {2024}
}
备注
6 pages, 5 figures. Published in Appl. Phys. Lett. 123, 052105 (2023)