垂直准二维器件中电荷密度波相变的低频噪声谱学
介观与纳米尺度物理
2019-08-20 v1 材料科学
摘要
我们报道了垂直准二维层状1T-TaS2电荷密度波器件中电子输运的结果。低频噪声谱学被用作研究准二维材料在室温以下跨平面电学特性变化的工具。噪声谱密度在非常接近电阻阶跃的温度处显示出强峰——变化超过一个数量级。部分噪声峰出现在公度到近公度电荷密度波相变温度以下，可能指示了存在有争议的“隐藏”相变。这些结果证实了噪声谱学在新型材料电子输运与相变研究中的潜力。
引用
@article{arxiv.1901.01475,
title = {Low-Frequency Noise Spectroscopy of Charge-Density-Wave Phase Transitions in Vertical Quasi-2D Devices},
author = {Ruben Salgado and Amirmahdi Mohammadzadeh and Fariborz Kargar and Adane Geremew and Chun-Yu Huang and Matthew A. Bloodgood and Sergey Rumyantsev and Tina T. Salguero and Alexander A. Balandin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.01475},
year = {2019}
}
备注
16 pages; 5 figures