少层 2H-TaS2 器件中电荷密度波的输运与电容特性
介观与纳米尺度物理
2015-06-22 v1
摘要
我们仔细研究了少层电荷密度波 (CDW) 2H-TaS2 器件的输运和电容特性。CDW 转变温度和阈值电压因器件而异，这归因于基于少层 2H-TaS2 薄片的这些微器件中的层间相互作用和不均匀的局部缺陷。在我们的实验中，观察到 2H-TaS2 器件在低温下呈现半导体性而非金属性。对于存在 CDW 的不同测量器件，相对阈值电压的温度依赖性可标度为 (1- T / Tr )^0.5+delta，其中 delta=0.08。同时进行了电导 - 电压和电容 - 电压测量。在非常低的交流有效电压下，我们发现这两种测量的磁滞回线完全吻合。我们的结果表明，电容 - 电压测量也可用于定义 CDW 的阈值脱钉电压，这为我们研究 CDW 提供了一种新方法。
引用
@article{arxiv.1407.2668,
title = {Transport and Capacitance properties of Charge Density Wave in few layer 2H-TaS2 Devices},
author = {Y. F. Cao and K. M. Cai and L. J. Li and W. J. Lu and Y. P. Sun and K. Y. Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.2668},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures