1T-VSe2的电子输运与比热
材料科学
2015-05-13 v2 强关联电子
摘要
本文报道了1T-VSe2(二硒化钒)的低温热电功率和比热，以及该化合物的电阻率和霍尔系数的测量结果。在所有这些性质中，均在约110K温度附近观察到电荷密度波(CDW)转变。热电功率的测量范围从15K到300K，跨越了不相称和相称的CDW区域。我们首次在VSe2的比热中观察到CDW转变处的微弱异常。高温下电阻率和热电功率的线性温度依赖性表明，在CDW转变之上存在正常的金属行为和电子-声子散射。在CDW相中，正的热电功率和负的霍尔系数，以及强烈的温度依赖性行为，表明存在与该化合物中强杂化的s-p-d能带相关的混合导电机制。
引用
@article{arxiv.0808.1332,
title = {Electronic transport and specific heat of 1T- VSe2},
author = {C. S. Yadav and A. K. Rastogi},
journal= {arXiv preprint arXiv:0808.1332},
year = {2015}
}
备注
17 pages, 4 figures. to appear in Solid State Communication