1T-TaS$_2$/GaAs 界面电荷密度波相变的探测
材料科学
2017-05-24 v1
摘要
过渡金属二硫族化合物 1T-TaS 以其丰富的电荷密度波 (CDW) 畸变而闻名，这些畸变与潜在的晶格原子调制相关联。长程 CDW 相贯穿整个晶体，并在晶体边界处以电荷位移终止。本文报道了新鲜剥离的 1T-TaS 薄片与 \textit{n} 型 GaAs 衬底处于紧密范德华接触时的界面输运性质和电容特性。提取的势垒参数（理想因子、势垒高度和内建电势）在 1T-TaS 的 Mott-CDW 相变过程中经历了显著变化。CDW 引起的势垒性质变化可以通过键极化模型很好地描述，该模型表明随着温度降低，由于载流子局域化和介电常数减小，界面区域的电势降增大。
引用
@article{arxiv.1704.05938,
title = {Detection of charge density wave phase transitions at 1T-TaS$_2$/GaAs interfaces},
author = {Xiaochen Zhu and Ang J. Li and G. R. Stewart and Arthur F. Hebard},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.05938},
year = {2017}
}
备注
17 Pages, 6 figures, Accepted by Applied Physics Letters