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揭示 1T-TaS$_2$ 上石墨烯中的电荷密度波邻近效应

介观与纳米尺度物理 2024-09-27 v2

摘要

邻近效应是指接触材料彼此获取对方电子性质的现象,被广泛用于在异质结构界面诱导关联态,如超导或磁性。然而迄今为止,证明邻近诱导电荷密度波(PI-CDW)的存在颇具挑战。这是由于屏蔽或向母材共隧穿等竞争效应掩盖了其存在。本文报道了在 1T-TaS2 衬底接触的石墨烯层中观测到 PI-CDW。利用扫描隧道显微镜(STM)与谱学(STS)结合理论建模,我们表明 1T-TaS2 中 CDW 与 Mott 能隙的共存,加上石墨烯中电子的狄拉克色散,使得排除其他解释而明确证实 PI-CDW 成为可能。此外,我们发现 PI-CDW 伴随 1T-TaS2 中 Mott 能隙的减小,并表明 PI-CDW 的潜在机制可由短程交换相互作用很好地描述,这与先前观测到的邻近效应明显不同。

关键词

引用

@article{arxiv.2311.10606,
  title  = {Revealing the Charge Density Wave Proximity Effect in Graphene on 1T-TaS$_2$},
  author = {Nikhil Tilak and Michael Altvater and Sheng-Hsiung Hung and Choong-Jae Won and Guohong Li and Taha Kaleem and Sang-Wook Cheong and Chung-Hou Chung and Horng-Tay Jeng and Eva Y. Andrei},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2311.10606},
  year   = {2024}
}

备注

35 pages, 16 figures. arXiv admin note: text overlap with arXiv:2201.09195