探索 1$T$-TaSe$_2$ 的电荷密度波相：Mott 能隙还是电荷转移能隙？
强关联电子
2023-04-17 v1
摘要
1-TaSe 被广泛认为在电荷密度波（CDW）相中发生 Mott 金属–绝缘体转变，其光谱观测显示能隙扩展至全动量空间。先前研究推断 Mott 相仅局限于块体样品表面，但近期对薄层样品的分析揭示，在单层观察到的类 Mott 行为随厚度增加迅速被抑制。在此，我们报道对 1-TaSe 电子结构的联合时间分辨与角分辨光电子能谱及理论研究。我们的实验结果确认了 之上存在一个先前归为上 Hubbard 带的状态，以及在 处约 0.7 eV 的整体能隙。然而，在密度泛函理论计算的支持下，我们证明该状态与能隙的起源仅源于 CDW 相引起的能带结构修正，无需 Mott 关联效应。
引用
@article{arxiv.2303.06188,
title = {Exploring the Charge Density Wave phase of 1$T$-TaSe$_2$: Mott or Charge-transfer Gap?},
author = {C. J. Sayers and G. Cerullo and Y. Zhang and C. E. Sanders and R. T. Chapman and A. S. Wyatt and G. Chatterjee and E. Springate and D. Wolverson and E. Da Como and E. Carpene},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.06188},
year = {2023}
}
备注
Accepted by PRL