1T-TaS$_2$ 中能带绝缘体到 Mott 绝缘体的转变

Y. D. Wang; W. L. Yao; Z. M. Xin; T. T. Han; Z. G. Wang; L. Chen; C. Cai; Yuan Li; Y. Zhang

doi:10.1038/s41467-020-18040-4

1T-TaS$_2$ 中能带绝缘体到 Mott 绝缘体的转变

强关联电子 2020-08-26 v1 材料科学超导电性

作者: Y. D. Wang , W. L. Yao , Z. M. Xin , T. T. Han , Z. G. Wang , L. Chen , C. Cai , Yuan Li , Y. Zhang

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

1T-TaS $_2$ 在降温过程中经历连续相变，最终进入起源不明的绝缘态。一些人认为该态是具有层间堆垛序的能带绝缘体，另一些人则将其归因于支持量子自旋液体态的 Mott 物理。此处，我们利用角分辨光电子能谱与 X 射线衍射确定了 1T-TaS $_2$ 的电子与结构性质。低温下，沿 c 轴的 2 $\pi$ /2c 周期性能带色散，以及半整数指数的衍射峰，明确表明 1T-TaS $_2$ 的基态是具有层间二聚化的能带绝缘体。然而在升温时，系统经历向 Mott 绝缘态的转变，该态仅存在于狭窄温度窗口内。我们的结果否定了仅在低温下于 1T-TaS $_2$ 中寻找量子磁性的想法，并凸显了在位库仑排斥与层间跳跃之间的竞争作为理解该材料电子性质的关键方面。

关键词

1T-TaS$_2$ 能带绝缘体 Mott 绝缘体角分辨光电子能谱 X 射线衍射库仑排斥

引用

@article{arxiv.2008.11001,
  title  = {Band insulator to Mott insulator transition in 1T-TaS$_2$},
  author = {Y. D. Wang and W. L. Yao and Z. M. Xin and T. T. Han and Z. G. Wang and L. Chen and C. Cai and Yuan Li and Y. Zhang},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2008.11001},
  year   = {2020}
}

备注

5 figures, Supplementary information

1T-TaS$_2$ 中能带绝缘体到 Mott 绝缘体的转变

摘要

关键词

引用

备注

相关论文