1T-TaS₂ 中绝缘态的主导机制：Mott 局域化与晶胞加倍
强关联电子
2020-06-24 v1 材料科学
摘要
若一个材料每晶胞含有奇数个电子却表现为绝缘体，通常可用 Mott 局域化来解释。这一观点被广泛接受用于层状化合物 1T-TaS₂，其低温绝缘相包含电荷有序团簇，每个团簇有 13 个未配对轨道。但如果层的堆叠方式使晶胞加倍，从而包含偶数个轨道，则绝缘态的性质就变得模糊不清。本文中，扫描隧道显微镜 (STM) 揭示了 1T-TaS₂ 中电荷有序的两种不同终端，这正是双层堆叠模式的标志。然而，在两种终端上的光谱测量使我们能够厘清晶胞加倍效应，并确定仅凭 Mott 局域化就足以驱动能隙的形成。我们还观察到在一个外因重堆叠终端处 Mott 性的崩塌，表明绝缘体-金属转变的微观机制在于层间堆叠的自由度。
引用
@article{arxiv.1908.08221,
title = {Mottness versus unit-cell doubling as the driver of the insulating state in 1T-TaS2},
author = {C. J. Butler and M. Yoshida and T. Hanaguri and Y. Iwasa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.08221},
year = {2020}
}
备注
9 pages, 6 figures, including Supplementary Information